会议背景

缺陷调控和掺杂是众多半导体电子器件和光电器件性能优化设计的基础。自上世纪九十年代以来，基于第一性原理计算和超原胞模型的缺陷（含杂质）计算模拟方法取得一系列突破，促使学术界对于半导体缺陷的形成、离化以及与载流子相互作用引发的各种转变过程有了很多新的认识，提出了超越传统半导体物理和固体物理教科书中内容的众多新理论。

这些新的认识和理论已经在半导体材料和器件的优化设计中发挥了重要作用，然而，在物理学、材料学、电子科学与技术等学科专业的半导体教科书中，这些新的认识和理论还没有被覆盖到。在当前广泛采用的半导体器件与工艺TCAD仿真软件中，缺陷和掺杂的模型也仍是基于教科书的传统简化模型，尚未包括更加接近实际、更准确的新理论模型。

近年来，基于机器学习的人工智能方法进一步推动了半导体缺陷计算模拟研究，为实际器件中复杂缺陷的计算模拟提供了新的方法，进一步丰富了半导体缺陷和掺杂物理。

为促进学术界和工业界了解最新的半导体缺陷理论和计算模拟方法及软件，特别是为了促进研究生和青年科研人员掌握本领域近三十年来的快速发展，复旦大学计算物质科学教育部重点实验室联合国内多家单位在2023和2024年组织召开了第一届和第二届半导体缺陷计算模拟研讨会暨软件培训班，2025年通过在上海召开的第33届半导体缺陷国际会议（ICDS-33）组织了计算模拟理论和软件培训。