培训内容

ILED 和 DASP 软件培训

介绍软件功能：针对输入的半导体晶体结构，基于材料数据库、第一性原理软件、机器学习势函数训练软件和通用势函数库，自动计算晶态和非晶态半导体及绝缘体的热力学稳定性，缺陷和杂质形成能及离化能级，平衡态下半导体样品中缺陷、杂质和载流子浓度、费米能级及其随化学气氛条件和温度的变化，关键缺陷和杂质诱导的光致发光谱、载流子辐射和非辐射俘获截面，非平衡态下半导体中载流子浓度的动态演化和稳态浓度及寿命；基于DeepSeek和千问等自然语言大模型的智能体开展缺陷性质自动计算和结果分析。

讲解ILED软件的计算流程、参数设置、输入和输出文件；结合不同半导体体系的计算实例文件，介绍如何评估各个软件模块的计算量、如何理解计算结果的物理含义和误差来源、如何搜索和构建缺陷构型和缺陷簇构型、如何采用智能体和自然语言管理计算任务和产生计算结果分析报告、如何将计算结果与深能级瞬态谱、光致发光谱等实验结果进行对比分析、如何通过缺陷和杂质性质计算为电子器件和光电器件的TCAD仿真设计提供基本参数。

ASEDAC TCAD+ 软件培训

ASEDAC TCAD+ 工艺器件仿真平台提供全流程模拟仿真工具与解决方案，覆盖工艺仿真、器件仿真、模型智能校准、SPICE模型自动提取、寄生RC抽取等环节，并支持面向先进封装与3D IC的电-力-热多物理场耦合分析。

本次培训将重点围绕半导体工艺流程建模和器件电学特性仿真展开，介绍如何通过TCAD+建立工艺结构、设置离子注入、扩散、刻蚀、沉积、退火等工艺步骤，并进一步构建器件仿真模型，分析载流子输运、电势分布、电流电压特性、阈值电压、击穿特性和可靠性相关参数。

结合缺陷计算模拟主题，讲解TCAD+在工艺缺陷和器件缺陷分析中的应用。工艺仿真部分将介绍缺陷、杂质、界面态、晶格损伤及退火修复等因素对掺杂分布、结深、应力和器件结构形貌的影响；器件仿真部分将介绍体缺陷、界面陷阱、固定电荷、复合中心和迁移率退化等缺陷机制对器件电学性能的影响，包括漏电流、阈值漂移、载流子复合、击穿、电荷俘获和可靠性退化等现象。

优秀学员奖学金

培训班将设置优秀学员奖两名，颁发“半导体仿真优秀学员”证书及全芯智造公司赞助的奖学金。