会议日程

会议将设置培训环节（8月18-19日）和前沿报告环节（8月20日）。

日期	内容
8月17日	会议报到
8月18-19日	培训环节：将讲授缺陷计算模拟和缺陷影响器件性能的常用理论模型和方法、近年来缺陷调控的理论机制，同时，将进行国产的缺陷计算模拟软件（ILED：缺陷的智能学习引擎软件和DASP：缺陷的第一性原理计算模拟软件包）和半导体器件TCAD仿真软件（全芯智造器件和工艺平台ASEDAC TCAD+）的实例操作培训、计算经验分享交流。
8月20日	前沿报告环节：深入研讨交流近年来缺陷计算模拟的新方法，包括：机器学习势函数、电荷密度和哈密顿量、非绝热分子动力学、含时密度泛函理论和非辐射多声子跃迁理论等方法在缺陷计算模拟上的应用、无序合金和非晶态体系缺陷计算方法、二维半导体带电缺陷修正方法等；新型半导体体系中缺陷和杂质性质研究、电子器件和光电器件中缺陷和掺杂调控机理、缺陷相关的器件可靠性物理研究、缺陷性质高通量计算和缺陷数据库建设、缺陷深能级瞬态谱等方面的进展。