会议日程
2026 年 8 月 18 日至 20 日
安徽省滁州市金鹏广场酒店琅琊店 · 金鹏一、二厅
DAY 01
8 月 18 日 · 培训
陈时友｜复旦大学
半导体缺陷计算软件介绍
黄梦麟｜复旦大学
缺陷形成能和转变能级的第一性原理计算模型和方法
讨论与答疑
白洋洋｜复旦大学
缺陷计算中常见误差来源及修正方法
张一涵｜复旦大学
缺陷和载流子浓度计算模型和方法
午餐
周俊杰｜复旦大学
非辐射多声子跃迁的理论模型和计算方法
谭景裕｜复旦大学
光致发光谱中声子伴线的理论模型和计算方法
王珊珊｜复旦大学
非平衡含时动力学的理论模型和计算方法
讨论与答疑
黄梦麟｜复旦大学
iLED 软件介绍：功能介绍、图形界面和智能体
常天赐｜复旦大学
iLED 快速上手：用第一性原理和机器学习电荷密度方法计算 GaN 本征缺陷性质
晚餐
DAY 02
8 月 19 日 · 培训
魏苏淮｜宁波东方理工大学
半导体缺陷计算方法概论
讨论与答疑
郭新敬｜复旦大学
iLED 计算实例：用机器学习势函数计算非晶体系的缺陷性质
谭景裕｜复旦大学
iLED 计算实例：用一维和多维非辐射多声子跃迁方法计算载流子俘获截面
午餐
李君君｜全芯智造技术股份有限公司
ASEDAC TCAD+ 工艺器件仿真平台主要功能与应用场景、工艺流程建模和器件电学特性仿真
讨论与答疑
阮璐风｜全芯智造技术股份有限公司
ASEDAC TCAD+ 在工艺缺陷和器件缺陷分析中的应用
晚餐
胡超宇｜北京龙讯旷腾科技有限公司
LonXun-NEGF 量子输运软件培训
DAY 03
8 月 20 日 · 专题前沿报告
龚新高｜复旦大学
开幕式致辞
Session 1 · 专题前沿报告主持人：魏苏淮｜宁波东方理工大学
刘飞｜北京大学
先进节点晶体管多尺度模拟：从材料计算到电路单元评估
吴振华｜浙江大学
环栅纳米线晶体管物理特性和器件电路协同仿真研究
沙威｜浙江大学
从缺陷到器件：光伏电池复合机制的多物理场建模与跨尺度仿真
沈忱｜上海培风图南半导体有限公司
FinFET 和 GAA 工艺和器件仿真：新物理机制和仿真需求
茶歇
Session 2 · 专题前沿报告主持人：尹万健｜苏州大学
颜丙勇｜全芯智造技术股份有限公司
工艺与器件仿真在先进制程开发中的应用与发展趋势
陈文超｜上海交通大学
面向后摩尔时代的异质异构集成工艺-多场协同设计方法学与应用
黄兵｜北京计算科学研究中心
光场和辐射场下半导体中的物性调控
午餐
Session 3 · 专题前沿报告主持人：刘雷｜安徽大学
孙宜阳｜中科院上海硅酸盐所
半导体点缺陷形成能的第一性原理计算
王蓉｜浙江大学
碳化硅单晶中基平面位错的动力学行为调控
黄丹｜广西大学
缺陷调控与能带工程优化设计 p 型透明导电材料的第一性原理研究
邓天琪｜浙江大学
缺陷对半导体材料输运性质影响的第一性原理与分子动力学研究
沈忱｜苏州实验室
智能体驱动的新型半导体智能设计平台
茶歇
Session 4 · 专题前沿报告主持人：管鹏飞｜中国科学院宁波材料研究所
童传佳｜中南大学
缺陷影响载流子动力学行为的理论研究
石林｜盐城工学院
半导体中点缺陷局域振动与特征拉曼峰的第一性原理计算
肖泽文｜中南大学
新型宽带隙材料的电子结构、缺陷物理与掺杂行为
张燮｜西北工业大学
合金中缺陷诱导的载流子非辐射俘获速率计算
汪林望｜中科院半导体所、北京龙讯旷腾科技有限公司
非晶半导体的电子结构
组委会委员